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SDH8594AS內置高壓MOS管的原邊控制芯片

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文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2019-04-16 09:46
  隨著小型充電器向著更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率發展,士蘭微電子推出SDH8594AS內置高壓MOS管的原邊控制芯片,SDH8594AS原邊反饋電源芯片采用PFM調制技術,實現精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制,效率和待機功耗滿足DOE Level 6能效標準。
 
  
  SDH8594AS內置了高壓MOS管,使用了自有的專利技術來實現高壓啟動功能,降低待機功耗以及提高轉換效率,具有外部可調的線損補償和內置的峰值電流補償等功能,可以確保精準的恒壓/恒流(CV/CC)性能,在確保待機功耗滿足DOE Level 6能效標準的前提下,具有極佳的動態響應性能。
  
  此外,電路內部集成了VCC欠壓/過壓保護、輸出短路保護、輸出過壓保護、過溫保護、外部元器件開/短路保護等多重保護功能,以保證電路在整機生產和應用時的安全性和可靠性,延長其使用壽命。
  
  SDH8594AS采用PSR反饋控制技術,無需外部光耦和431器件,并且環路補償電容內置,極大的簡化了外圍,僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源系統,大幅節省了系統耗電并縮小了電路板體積,有利于用戶精簡設計布局,降低開發和制造成本。同時,電路采用SOP7貼片封裝形式,可以滿足最高5V/2.4A的輸出功率的小型化應用。
 
  
  驪微電子士蘭微一級代理商,產品覆蓋MOSFET、AC-DC、DC-DC等系列,SDH8594AS隔離反激PSR 10W 5V/2A 600V/2.8Ω 60mW SOP7是基于士蘭微電子自行研發的0.8微米BiCMOS工藝制程設計及制作,工作電壓規模寬,管腳ESD才能強,具有高靠得住性,廣泛適用于手機充電器、小功率適配器及其他便攜式設備充電器。
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