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PN8308H內置mos開關電源同步整流芯片

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文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2019-03-26 09:38
  在過去同步整流都是同步整流控制器+外置同步TO-220封裝的N溝道MOS管來實現開關電源的同步整流,現采用通態電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的,如驪微電子代理的PN8308H內置mos開關電源同步整流芯片。
 
  
  PN8308H內置mos同步整流芯片適用于輸出電壓9-15V的電源,內置80V智能功率MOSFET,具有如下特點:  
  易搭配原邊主控芯片: ns級速度關斷SR, 支持150kHz工作頻率,支持CCM/DCM/QR工作模式;  
  EMC性能卓越:獨特電流跟蹤技術顯著降低dV/dt,EMC特性優于肖特基;  
  可實現零外圍工作:Low side架構,單邊SW貼片封裝,方便PCB Layout;  
  全面的智能保護功能:UVLO、防誤開啟、防誤關斷功能。
 
  
  PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,內置電壓降極低的功率MOSFET,以提高電流輸出能力,提升轉換效率,使得系統效率可以滿足6級能效的標準,常用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管。
  
  PN8308H內置mos同步整流芯片電流跟蹤關斷技術內置高開關速度智能MOSFET,進一步加快關斷速度,通過內置Tonmin、Toffmin,增加SR開通限制條件等措施徹底避免SR誤開通造成的直通問題,內部集成了極為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護、最小導通時間等功能,兼容全模式CCM,DCM和QR。
 
  
  PN8308H應用于9V/12V輸出適配器上大大減少了開關電源輸出端的整流損耗,從而提高轉換效率,可以提高整個AC-DC的整體效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓,降低電源本身發熱,在中大功率等級的應用中能有特別明顯的區別。
  
  隨著DoE 六級能效及CoC V5 Tier 2的實施,同步整流取代肖特基已成為大勢所趨,PN8308內置mos開關電源同步整流芯片因外圍精簡、EMC性能卓越、支持任意工作模式、貼片封裝并無需散熱片,實現電源小型化,并降低系統成本,被廣泛應用于12V2A-12V3A六級能效適配器。
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